Лучшая среди приборов такого класса производительность с разрешением 6,5 разрядов.

Поддержка характеризации и тестирования мощных полупроводниковых приборов, сверхъярких светодиодных устройств (HBLED), оптических устройств, фотоэлементов, а также композиционных материалов и устройств на карбиде кремния и нитриде галлия и др. Применение: определение температуры полупроводниковых переходов, высокоточное и высокоскоростное цифровое преобразование, изучение электромиграции, тестирование сильноточных устройств высокой мощности.
Обеспечение высокого напряжения, необходимое для характеризации и тестирования мощных полупроводниковых устройств, включая композиционные материалы и устройства на карбиде кремния и нитрида галлия и др., испытания на пробой и испытания на утечки до 3 кВ, а также определение характеристик субмиллисекундных переходных процессов.
Дистанционное управление через любой браузер, на любом компьютере, из любого места.
